帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
英飛凌推出 650 V TRENCHSTOP IGBT6 適用1 kW 小型馬達驅動
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2018年08月28日 星期二

瀏覽人次:【2521】

英飛凌科技股份有限公司推出新一代 TRENCHSTOP IGBT6技術。此分立式產品具備 650 V 阻斷電壓,並針對需要長使用時間、高可靠性及高效率的特定應用進行最佳化,例如:主要家電與小型家電、工業縫紉機,以及用於風扇、幫浦及其他 BLDC 馬達中的通用型馬達。

英飛凌推出 650 V TRENCHSTOP IGBT6 適用1 kW 小型馬達驅動
英飛凌推出 650 V TRENCHSTOP IGBT6 適用1 kW 小型馬達驅動

其溝槽 (trench) 及場終止(field-stop) 技術與軟性、快速回復的反相並聯Rapid 1 二極體共同封裝,可減少損耗,具備良好的散熱效能,特別是在較高的切換頻率下,因此可提升可靠性及設計餘量,為高達1 kW 的馬達驅動奠定基礎。650 V TRENCHSTOP IGBT6 的主要特色包括極低的 VCE(sat)與 Vf,以及 3 μsec 的短路保護能力,並針對 5 kHz至 30 kHz 範圍內的切換頻率進行最佳化,適用於需要有效控制 EMI 雜訊的應用。

關鍵字: IGBT  馬達驅動  Infineon(英飛凌
相關產品
ROHM第4代1200V IGBT實現頂級低損耗和高短路耐受能力
英飛凌推出EiceDRIVER 125 V高側閘極驅動器 故障即時保護電池
英飛凌CoolSiC蕭特基二極體2000 V直流母線電壓最高可達1500 VDC
意法半導體新款750W馬達驅動參考板適用於家用和工業設備
英飛凌針對汽車應用的識別和認證推出新型指紋感測晶片
  相關新聞
» 英飛凌2024會計年度營收利潤雙增 預期2025年市場疲軟
» 英飛凌推出全球首款易於回收的非接觸式支付卡技術
» 三菱電機將交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片樣品
» Red Hat:開源AI和混合雲架構 將成為下一步AI技術發展主流趨勢
» ST推廣智慧感測器與碳化矽發展 強化於AI與能源應用價值
  相關文章
» SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術
» 意法半導體的邊緣AI永續發展策略:超越MEMS迎接真正挑戰
» 光通訊成長態勢明確 訊號完整性一測定江山
» 分眾顯示與其控制技術
» 新一代Microchip MCU韌體開發套件 : MCC Melody簡介

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BD5LZGDKSTACUKC
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw