飛思卡爾半導體發表第七代高電壓(HV7)射頻LDMOS技術，此項技術可以滿足WiMAX基地台在3.5 GHz頻帶中運作時所需的射頻功率放大器效能。

飛思卡爾表示，即使飛思卡爾已經具備12V砷化鎵擬態高速移動電子電晶體(PHEMT)的產品線，該公司仍計畫繼續研發高電壓砷化鎵PHEMT技術，專供設計WiMAX系統內的高功率砷化鎵元件、以及其它在2 GHz至6 GHz間運作的應用所需。由於飛思卡爾同時提供了射頻LDMOS及砷化鎵PHEMT這兩種技術的功率電晶體，因此該公司的射頻解決方案幾乎可以支援所有高功率的無線設備–其中LDMOS的效能可達3.8 GHz、而砷化鎵PHEMT的效能更高達6 GHz。

飛思卡爾射頻產品部門的副總裁暨總經理Gavin P.Woods表示：「由於飛思卡爾在第七代高電壓射頻LDMOS技術上的最新進展，我們已經在未來的WiMAX及其它高頻市場中搶得先機，飛思卡爾原本研發的高電壓砷化鎵技術，不但仍是市場上同質產品中效率最佳者，同時也將基礎設備的運作頻率推上6 GHz。」