Western Digital今（24）日宣布成功開發出第五代3D NAND技術BiCS5，提供最先進的快閃記憶體技術。BiCS5採用三層單元（TLC）與四層單元（QLC）兩種架構，能以極具吸引力的成本提供卓越的容量、效能與穩定性，滿足因連網汽車、行動裝置與人工智慧而急速增長的資料量需求。

Western Digital成功開發出第五代3D NAND技術BiCS5。BiCS5採用TLC與QLC兩種架構，能以極具吸引力的成本提供卓越的容量、效能與穩定性。

Western Digital已開始生產512Gb的BiCS5 TLC，並預計在2020年下半年就能開始商業化量產，供應採用新技術的消費性產品。未來，BiCS5 TLC與BiCS5 QLC將提供包括1.33Tb等多樣的儲存容量選擇。

Western Digital記憶體技術與製造部門資深副總裁Steve Paak博士表示：「隨著下一個十年的到來，如何增加3D NAND容量以滿足龐大且快速增長的資料量需求是重要關鍵。藉由成功開發BiCS5，Western Digital展現了領先業界的快閃記憶體技術，及強大的計畫執行力。我們利用更先進的多層儲存通孔（multi-tier memory hole）技術來增加橫向儲存密度，同時透過增加儲存層讓3D NAND技術的容量與效能顯著提升，以滿足客戶對穩定性與低成本的期望。」

採用多種新技術與創新製造工藝的BiCS5是Western Digital目前密度最高、最先進的3D NAND技術。第二代多層儲存通孔技術、優化的工程設計流程及其他先進的3D NAND儲存單元技術大幅提升了晶圓的橫向儲存單元陣列密度。

此外，BiCS5擁有112層垂直堆疊的儲存容量，使每晶圓的儲存容量比96層的BiCS4高出40%，可達到最佳成本。新架構設計也為BiCS5挹注更高效能，使其I/O效能較BiCS4提高50%。

BiCS5是由Western Digital與技術製造合作夥伴Kioxia共同開發，將於日本三重縣四日市及岩手縣北上市的合資晶圓廠製造。

BiCS5是以Western Digital完整的3D NAND技術為基礎而開發的技術；這些技術已廣泛應用於以資料為中心的個人電子裝置、智慧型手機、物連網裝置與資料中心。