ST宣佈，開始量產採用VFBGA55封裝的256Mbit "小型頁面（Small Page）" NAND型快閃記憶體晶片。新元件採用薄型8 x 10mm球柵陣列封裝，能讓製造商在照相手機、智慧型電話、低成本數位相機、PDA、USB相機記憶卡，以及其他受到體積限制的可攜式產品中增加更多記憶體容量。

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新產品厚度僅1mm，能與其他NAND型快閃記憶體相容，可節省20%的電路板使用面積。NAND256是ST NAND型快閃記憶體系列的新產品，這一系列產品包含了128Mbit、256 Mbit、512 Mbit、與1Gbit等版本，可操作在1.8V~3.0V的供給電壓中。新元件提供超快速資料傳輸率與擦除能力，並具有手機、PDA與他可攜式設備所需要的低功耗編程與低電壓操作特性。該元件採用先進的120nm製程技術，其超小型記憶體單元尺寸能大幅降低成本。

新的記憶體是由2,048個16Kbyte的區塊組成，每個區塊可分割成512Bytes的頁面，每個頁面都有附加的16byte空間，同時每個頁面均可執行讀取與編程動作。附加的記憶體空間可用於錯誤修正、軟體標籤或毀損區塊的識別。拷貝回存編程（Copy Back Program）模式能將資料儲存在一個頁面中，然後直接對另一個頁面進行編程，無需額外的緩衝區，當頁面編程作業在一個失效區塊上進行時，此功能可發揮很大的作用。新元件還提供區塊擦除指令，擦除一個區塊的時間僅需2ms。每個區塊均可承受至少100,000次的編程與擦除循環，資料保存期限為10年。

ST也提供完整的軟體工具組合，以協助客戶迅速使用新記憶體晶片開發產品並延長產品使用壽命。這些工具包括錯誤修正碼（Error Correction Code，ECC）軟體；毀損區塊管理（Bad Block Management，BBM）功能；可延緩元件老化的平衡讀寫演算法（Wear Leveling algorithms）；檔案系統OS Native參考軟體；以及硬體模擬工具。新元件還包含"通電後自動從第0頁開始讀取"的功能，可作為NAND記憶體的開機應用；以及"無需介意晶片啟動（Chip Enable Don't Care）"功能，可簡化微控制器的介面設計，同時能簡化將NAND快閃記憶體與NOR快閃記憶體、SRAM等整合的過程。另外，獨特的元件識別碼則能由製造商自行編程，而用戶可編程序列碼的應用可為用戶增添安全功能。