帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
Molex推出新一代高性能超低功率記憶體技術
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2013年05月17日 星期五

瀏覽人次:【4291】

全球領先的全套互連產品供應商Molex公司宣佈推出空氣動力型DDR3 DIMM插座和超低側高DDR3 DIMM 記憶體模組插座產品組合,這兩款系列產品均可滿足電信、網路和儲存系統、先進運算平臺、工業控制和醫療設備中對記憶體應用的嚴格要求。

超低功率記憶體技術 BigPic:600x414
超低功率記憶體技術 BigPic:600x414

DDR3是一項已制定完成的DDR DRAM介面技術,支持時鐘頻率為400 至 800 MHz的800 至 1600 Mbps資料速率,是DDR2介面資料速率的兩倍。採用標準1.5V工作電壓,DDR3對比DDR2在功耗上減少30%。Molex的DDR3 DIMM插座具有比標準設計更低的底座面,讓ATCA刀鋒系統中可以使用底座最大和高度低於2.80 mm的極低側高模組。新型DDR3 DIMM插座還具有10 mΩ的低位準接觸電阻,可以使用已註冊的DIMM模組及降低刀鋒式伺服器中的功耗。

Molex產品經理Douglas Jones表示:“隨著更高頻寬需求的不斷增長,擁有以較快速率傳輸資料而不犧牲寶貴空間或功率的能力是十分重要的。我們的客戶在使用DDR3 DIMM插座時,能夠利用終極高性能記憶體互連,同時維持或縮小現有封裝尺寸和降低功耗。”

Molex 空氣動力型DDR3 DIMM插座具有流線型的外殼和閉鎖(latch)設計,實現氣流最大化及消除運作期間所聚集的熱空氣。人類環境學閉鎖設計能夠實現快速動作及輕易地移除高密度記憶體模組。2.40 mm的低底座面已將垂直空間優化,以便提供更靈活的插座模組設計高度。空氣動力型DDR3 DIMM插座可提供極低側高壓接(14.26 mm)、低側高壓接(22.03 mm)、低側高SMT (21.34 mm)和極低側高SMT (14.20 mm)高度等不同的版本。與標準壓接終端相比,這些壓接插座具有更小的針孔型順應引腳,從而為更高密度的跡線路由釋放寶貴的PCB空間。所有Molex的空氣動力型DDR3 DIMM插座均符合RoHS標準,而SMT版本則不含鹵素。

Molex超低側高DDR3 DIMM插座具有僅高1.10 mm的底座面,是產業中最低的。該插座在PCB上提供最高20.23 mm的垂直空間來安裝高密度的DIMM,適用於要求符合ATCA電路板機械規範的應用。這項規範要求前板(front board )PCB板一側的元件高度不能超過21.33 mm。超低側高DDR3 DIMM插座還具有更小的閉鎖動作角度,可以使用比標準DIMM插座更少的PCB空間,改善氣流和使已安裝的元件變得更接近。新型無鹵素插座具有玻璃填充的高溫尼龍外殼和閉鎖裝置,將採用波峰焊和高溫紅外回流焊作業變成可能。

關鍵字: 超低功率記憶體技術  Molex 
相關產品
Molex多功能VaporConnect光饋通模組可解決AI資料中心熱管理需求
Molex的MX-DaSH資料訊號混合連接器系列為多功能性設計
貿澤即日起供貨Molex高頻射頻識別解決方案
Molex推出MX60系列非接觸式連接解決方案 精簡設計工程
Molex推出晶片到晶片224G產品組合 實現224Gbps-PAM4
  相關新聞
» Anritsu Tech Forum 2024 揭開無線與高速技術的未來視界
» 蘋果AirTag與航空公司合作 行李定位資訊直接分享
» 研究:高階手機市場淪為中國手機品牌爭霸戰
» 芝加哥大學開發新水凝膠半導體材料
» 英飛凌2024會計年度營收利潤雙增 預期2025年市場疲軟
  相關文章
» SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術
» 意法半導體的邊緣AI永續發展策略:超越MEMS迎接真正挑戰
» 光通訊成長態勢明確 訊號完整性一測定江山
» 分眾顯示與其控制技術
» 新一代Microchip MCU韌體開發套件 : MCC Melody簡介

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BE7NFEAQSTACUKF
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw