華邦電子即將參加由Global Sources所主辦的2008 IIC-China深圳(3/3-4深圳會展中)、上海(3/10-11上海世貿商城),屆時也將展出華邦兩大系列行動記憶體產品-低功率耗動態記憶體及虛擬靜態記憶體,並推出一系列低功耗動態記憶體512Mb Low Power DRAM。
近年來手機市場成長的主要動力,除了新一代3G傳輸標準之興起,行動商務化平台的運轉,及諸多影音多媒體技術的發展下,大大帶動了中高階機種換機潮的興起。手機的功能日新月異,新的功能陸續的推出,如彩色圖片瀏覽、JAVA遊戲下載、數位相機模組搭載…等,使得手機的記憶體中的RAM Buffer需要量大增,為因應高效高容量之記憶體需求,華邦電子2008年將陸續推出符合JEDEC標準低功率耗動態記憶體(Low Power DRAM)規格之產品,產品含蓋128 Mb~512 Mb。
虛擬靜態記憶體(Pseudo SRAM)採取傳統DRAM為核心;介面則設計與傳統SRAM相容的架構。另外Pseudo SRAM設計了一個on-chip refresh circuit來解決DRAM cell之Refresh,以增加讀取速度並降低使用者在設計上的困擾。產品完整含蓋16Mb~256Mb;本次所展出之256Mb PSRAM為現今市場上容量最大之PSRAM之一(符合CellularRAM 2.0G之標準);除領先同業之外,與主要系統供應商建立更進一步的合作關係。
華邦電子公司宣佈與德國奇夢達公司(Qimonda AG)簽訂75奈米與58奈米溝槽式DRAM製程技術移轉及產能合作協議,具體展現華邦不斷運用先進製程技術,提升自有產品在全球市場的競爭力,及強化與國際大廠實質合作的夥伴關係。一方面華邦持續提供奇夢達高品質的標準型DRAM產品晶圓代工服務,另則華邦可以發展行動記憶體等利基型產品,經營自有品牌產銷。未來華邦將可應用58奈米製程技術,開發Low Power SDRAM、Pseudo SRAM、消費電子產品DRAM等利基型記憶體產品,以滿足行動通訊市場多元及快速成長的需求。