英飛凌科技榮獲 2013 奧地利國家創新獎 (National Innovation Prize)，該公司因其在奧地利菲拉赫(Villach) 廠所開發的 12吋薄晶圓技術而獲獎。英飛凌(奧地利)董事會成員，負責技術及創新的 Sabine Herlitschka 博士代表英飛凌從奧地利經濟部長 Reinhold Mitterlehner 手上接下這座獎項。

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英飛凌是全球第一家，也是唯一一家能夠以 12吋薄晶圓技術生產功率半導體的公司。由於 12吋薄晶圓的直徑比標準的 8吋晶圓更大，因此每片晶圓所生產的晶片數是後者的兩倍半。新技術為客戶帶來的好處則包括已準備就緒的供貨能力，強化的產能和提升的生產力。英飛凌的功率半導體擁有能源耗損低，體積小巧等特色，晶片厚度僅略厚於紙張，但其正面和背面都擁有電性活化的結構，而薄晶圓技術正是達成這項特色的關鍵。

Sabine Herlitschka 博士表示：「在這個變動快速的半導體領域，此一大躍進代表著技術上的革新，我們很高興能有如此出色的表現。」英飛凌曾於 2012 年秋季三度榮獲奧地利克恩頓州 (Carinthia) 頒發創新獎。今年，英飛凌入圍「大型公司」類組，並由該國共 592 家參賽者中脫穎而出，成為最後六位候選者之一。

即便在經濟緊縮時期，英飛凌仍早先投入此一全新製程技術，提供專案所需的必要投資。此外，在兩項歐盟研究計劃的支持下，該項技術的目標研發及製造得以進一步發展。英飛凌所開發出的創新效能，在全球功率半導體製造的基礎材料、機器、製程及程序等領域，樹立了全新的標準，成為全球能源效率市場未來發展的領導者。

英飛凌稍早 ( 2013 年 3 月 9 日)亦在德國法蘭克福贏得「德國創新獎」（Innovationspreis der deutschen Wirtschaft）「大型公司」類組的最高榮譽。評審團將獎項頒給英飛凌，肯定其將半導體材料碳化矽與創新排列電晶體元件連結的創新概念。以此方式生產的功率電晶體效率極佳，可將電源在傳輸及轉換期間的耗損降到最低。可預見的是，這項嶄新技術將成為新能源策略中電力電子的基本要素。

英飛凌執行長 Reinhard Ploss 博士表示：「這兩座獎項是對我們創新能力的具體肯定，新技術奠定了我們成功及落實優異概念的基石。」英飛凌的功率半導體在需要對高電流和高電壓進行控制及切換的產品（如伺服器、個人電腦、筆記型電腦、消費性電子產品及行動通訊基礎設備、照明系統及風力發電或光伏系統）內隨處可見。英飛凌在功率半導體領域的領導地位，去年連續第九次獲得獨立市調公司 IMS Research（IHS 集團子公司）的肯定。