安森美半導體（ON Semiconductor）近日宣佈推出整合型同步整流器，此整合方案解決設計人員需採用分離元件來達到高功率密度所面臨的難題。

安森美半導體專用產品行銷經理Sue Nee表示，「目前的同步整流設計，要達到高效率水平的要求十分困難。一般的設計需用許多分離元件，而且還需很長的設計時間以獲得正確的系統設計。我們推出NIS6111，設計師可以快速容易地克服設計困難。NIS6111操作簡單，應用廣泛，只需略為改變佈局就能融入現有的電源設計。」

安森美半導體表示，專利產品NIS6111為高速、高效率的混合整流器，可將高速比較器和MOSFET驅動器與功率MOSFET耦合在一起，產生一個與MOSFET具有相同正向壓降特性的二極體。NIS6111的低正向壓降和快速轉換功能提高了效率且無需使用龐大的散熱器。它們透過降低返馳或諧振拓撲架構開關電源中的次級整流結溫實現此目標。由於該產品無需接地，可輕易地取代開關電源中損耗式整流器，用作二埠的整流器。

NIS6111能阻隔達24伏（V）的電壓，且在20安培正向電流時的典型正向壓降為0.1V。阻隔60V和100V電壓的版本將於2005年後期推出，進一步擴大BERS系列。除開關電源設計外，NIS6111還可作為伺服器和電信設備等常用產品中的ORing二極體。它提供的解決方案不像分離的ORing控制器和MOSFET那樣容易受到印刷電路板佈局問題的影響，這類問題包括振盪或較慢的故障恢復速度。此外，NIS6111還可增加額外的MOSFET，提高其功率處理能力。NIS6111可以和NCP1207，NCP1651等初級端PWM控制器搭配使用，使設計更簡單且更具可購性。