應用材料公司Ultima高密度電漿化學氣相沉積（HDP-CVD:High Density Plasma - Chemical Vapor Deposition）家族再添新成員。新推出的Ultima X設備將提供下一世代元件所須的隙縫填補能力，包括先進的淺溝隔離（STI：Shallow Trench Isolation）、金屬層間介質沉積（IMD: Inter-Metal Dielectric）和前金屬介質沉積（PMD: Pre-Metal Dielectric）等製程應用。Ultima X同時為第一套支援0.10微米以下的電路結構，將為未來製造邏輯元件、快閃記憶體和DRAM元件的最佳解決方案。

應用材料副總裁暨介電系統與模組產品事業群總經理法哈‧莫葛丹表示：「Ultima X的推出，對於我們領先市場的Ultima HDP-CVD設備而言是一大躍進，其將可滿足0.10微米製程技術的要求，讓客戶迅速發展出下一世代的高效能元件。此外，Ultima X可擴大高濃度電漿化學氣相沉積技術的應用範圍，支援數個世代的元件，不僅可滿足客戶最嚴格的技術要求，同時還可降低客戶的風險與投資。」

應用材料公司表示，Ultima X具有多項先進的技術能力，將可在200mm及300mm晶圓上提供均勻且無氣泡的沉積能力。Ultima X設備之核心為一個採用先進填補技術的反應室，提供突破性的「中心至邊緣」填補能力，能在整顆晶圓表面上做出不含任何隙洞的沉積，這項獨特能力，讓Ultima X得以延伸高濃度電漿化學氣相沉積技術的填補能力，含括縱橫比(Aspect Radio)超過7：1的70nm晶圓，並能改進晶圓邊緣的填補效果，讓客戶充份利用晶圓面積，提高晶圓的製造良率。Ultima X設備同時具備三項重要的特色，分別是加強型「FOCUS」電漿源設計、更高的電漿源射頻功率，以及更大的泵浦，可提供更好的填補結果，滿足0.10微米以下製程技術的要求。此外，先進的溫度控制功能，也可將薄膜缺陷與微粒數目減到最少，進而提升晶圓的製造良率。