美商亞德諾(ADI)，25日發表一款新的半導體製程，該製程結合了高電壓矽晶片與次微米CMOS與互補雙極等技術。新款類比元件計達15種，不像使用傳統CMOS製程的類比解決方案，採用iCMOS工業製程所製造的元件可耐受至30V電源，且可提供突破的效能水準，降低系統設計成本，減少最高達85%的功率消耗與30%的封裝尺寸。

ADI的iCMOS工業製程技術的推出使新型高效能類比元件可操作在電子的噪音環境，而且不用像其他CMOS製程技術需要額外IC的成本。iCMOS主要的特性在於它可以從基板或彼此之間完全隔離元件。這表示一顆單晶片可以用16，24或30V CMOS電路混合匹配5V CMOS，以及多重電壓源執行於相同的晶片上。

基於ADI的iCMOS工業製程製造的類比元件能使工業設備開發者在次微米積體電路的空間中整合高速類比與最新的數位邏輯電路，其佔位面積無其他世代高電壓IC所能及。舉例來說，設計者如有指定ADC，將會發現以iCMOS為基礎的元件比起採用現行高電壓CMOS製程製造的ADC，具有更高水準的效能，更低的功率消耗，且所需的板面積更少。類似情形，ADI的iCMOS DAC可以結合放大器來驅動範圍寬廣的信號，省卻外加分離式放大器晶片的需要。採用ADI iCMOS工業製程生產的多工器，在16隻腳的TSOP封裝中，所具有的導通電阻只有3至4歐姆，減少的導通電阻(RON )平坦度為0.5歐姆，比工業標準導通電阻少了近85%，減少從切換製程導入信號的失真。