全球功率半導體及管理方案廠商----國際整流器公司（簡稱IR） 推出一系列全新的150V及200V HEXFET功率MOSFET，它們的導通電阻和柵電荷特性經過最佳化，能將48V輸入隔離式直流-直流轉換器的效率提升1%，適用範圍包括網路和電信系統。

全新MOSFET的載電效能比起效能最接近的TO-220封裝元件高出20%，並設有D2Pak和TO-262封裝可供選用。

新元件中，IRFS38N20D和IRFS52N15D適用於單輸出主板貼裝式模組或多重輸出電源的主插座，並適用於「熱插拔」(Hot Swap) 電路及動態ORing電路，以確保系統運作穩定可靠。

在標準的150W半磚式模組中，最新200V IRFS38N20D元件能在5VOUT和30A負載下達到91.5% 的效率，較業界標準元件高出1%。其操作溫度亦較同類元件低28°C，有助於節省散熱面積，及減少印刷電路板的尺寸。若把150V IRFS52N15D元件應用在主位部分進行效率測量，亦可展現出相同效果。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「新MOSFET具備更高載電效能，可讓更多功率傳送至次側部分。設計人員可在相同面積上表現出更高輸出功率和效率，甚至減少解決方案的尺寸，但輸出功率仍可保持不變。」

電信系統的運作無法間斷，因而對於性能的要求相當嚴謹。為了迎合此一需求，電路板往往需要在通電狀態下進行更改。為了限制插入電路板時所產生的起動電流，熱插拔電路中的控制器必須要以慢速啟動場效應管。IR的HEXFET MOSFET技術的低跨導特性能在線性操作區域中提供更完善的管理效能，避免晶片上出現有可能導致操作失誤或系統故障的過熱點。

朱文義進一步表示：「全新HEXFET功率MOSFET是熱插拔電路中的起動電流限幅器，由於例行維修在冗餘功率系統上進行，故能確保操作的可靠性。」