快捷半導體(Fairchild Semiconductor)推出採用SO-8封裝的80 V N溝道MOSFET器件FDS3572，能同時為初級(primary-side)DC/DC轉換器和次級(secondary-side)同步整流開關電源設計提供優異的整體系統效率。FDS3572提供7.5 nC Miller電荷(Qgd)，比相同RDS(on)級別的產品低38%。該器件的低Miller電荷加上低RDS(on)(16毫歐)特性，使得其品質因數(Figure of Merit；FOM=RDS(on)xQgd)為120，較最接近競爭產品低33%之多。FDS3572還具有最佳的總閘電荷(在VGS=10 V為31 nC)，有助降低功耗；低QRR(70 nC)，可降低反向恢復損耗；以及高雪崩性能(EAS=15 mJ)，以提高耐用性。

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FDS3572開關特別適用於預調整的高密度隔離全橋或半橋DC/DC轉換器電路應用，也是初級應用的理想器件，包括低壓電信電源、DC/DC轉換器、網路和資料通信電源、伺服器及採用最新匯流排轉換器拓撲且支援仲介匯流排結構(IBA)的電壓調節模組(VRM)。在這些應用中，頻率通常高達250 KHz，而FDS3572極低的Miller電荷可實現快速切換，從而減少動態損耗；至於其超低閘電荷則可通過減少驅動器/PWM控制IC的功耗來提高系統效率。

這種器件還可用於同步整流器，以替代DC/DC轉換器次級的傳統高壓Schottky整流器，輸出電壓為5V至52V。典型的產品應用包括網路和資料通信DC/DC轉換器及筆記型電腦的外部AC/DC配接器。FDS3572的低RDS(on)特性可將傳導損耗控制在允許範圍內，並提高筆記型電腦AC/DC配接器的功率密度。功率密度的增強非常重要，因為隨著更多多媒體功能整合於可攜式產品平臺上，處理器的功率需求將越來越高。同步整流應用也可得益於FDS3572的高雪崩性能及小尺寸封裝。