功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation) 擴展碳化矽(SiC)肖特基產品系列的陣容，推出全新的650V解決方案產品，新型二極體產品將以包括太陽能逆變器在內的大功率工業應用為其應用目標。

諸如SiC等寬頻帶間隙(bandgap)半導體器件採用了最先進的材料，許多功率電子和系統設計人員在其新設計中都會考慮採用這些先進的材料。與矽材料相比，SiC可提供多項優勢，包括較高的擊穿電場強度和較高的導熱性等。這些特性可讓設計人員開發出性能較好的產品，包括零反向恢復、溫度獨立行為、較高的電壓能力和較高的工作溫度，以便將性能、效率和可靠性帶到全新的等級。

美高森美公司功率產品部門高級產品行銷經理James Kerr表示：“美高森美的SiC功率半導體器件是那些正在尋求提升系統效率的功率電子設計人員之理想選擇，碳化矽是我們眾多客戶的顛覆性(game-changing)技術。憑藉著公司內部的製造能力、全面的SiC解決方案產品組合，以及包括數款全新SiC產品的發展藍圖，美高森美對於掌握此一不斷增長的市場機會，擁有絕佳的地利條件。”

美高森美全新650V SiC肖特基二極體的產品組合包括：

‧ APT10SCD65K (650V、10A、TO-220 封裝)

‧ APT10SCD65KCT (650V、10A、 共用陰極TO-220 封裝)

‧ APT20SCD65K (650V、20A、TO-220 封裝)

‧ APT30SCD65B (650V、30A、TO-247 封裝)

新的解決方案業已應用在公司的功率模組產品中，這些功率模組可應用到航空航太、焊接、電池充電和其它大功率的工業領域中。