美商超微半導體(AMD)宣佈推出兩款最先進的快閃記憶體產品，分別為32MB的Am29BDS323及64MB的Am29BDS643，兩者均採用AMD創新的同步讀/寫架構、高效能爆發模式介面以及超低電壓技術。這兩款產品可在40MHz至54MHz的頻率之間進行作業，最適用於新一代的蜂巢式行動電話，尤其可支援各種新功能，其中包括上網功能、PDA、視訊資料分流傳輸以及MP3等功能。

Am29BDS643晶片的存取時間只有13.5ns，較其他競爭產品快，而Am29BDS323晶片的存取時間則只有20ns。這個高速存取功能可大幅減少讀取快閃代碼及資料所需的等待狀態次數，確保微處理器可以發揮最高的效能，令系統的整體效能可以進一步提高。

由於Am29BDS323及Am29BDS643兩款晶片均採用AMD曾多次獲獎的同步讀/寫技術，因此可一方面讀取某一記憶庫的資料，又可同時在另一記憶庫執行消除/設定功能。Am29BDS323晶片設有兩個獨立的記憶庫，容量分別為8MB及24MB，而Am29BDS643晶片亦同樣設有兩個獨立的記憶庫，但容量則分別為16MB及48MB。因此，系統設計工程師可將多款記憶體晶片的功能整合一起，減低元件方面的成本支出。

除了上述的創新功能之外，這兩款快閃晶片亦採用AMD的超低電壓技術，可在1.8伏(V)的單一電壓下執行讀取、設定及消除功能。由於AMD擁有已註冊專利的負閘極消除架構技術，因此能夠率先提供1.8伏的快閃記憶體晶片。Am29BDS323及Am29BDS643兩款晶片一如AMD其他的低電壓快閃記憶體，均可進行零功率作業。換言之，這兩款晶片在停止作業時會自動進入「省電」模式，而期間只耗用0.2A的電流。