帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
IR推出多用途MOSFET
提升網路及數據通訊系統之功率效益

【CTIMES/SmartAuto 楊青蓉報導】   2003年02月19日 星期三

瀏覽人次:【3596】

全球功率半導體及管理方案廠商國際整流器公司(IR)於19日推出IRF1312型HEXFET功率MOSFET,額定電壓達80V,可用作隔離式直流-直流轉換器中的主要和次要MOSFET,專門應用於網絡通訊及數據通訊應用領域。IR指出,用作主要MOSFET時,IRF1312能處理高至60V最大輸入電壓,因此最適用於36V至60V及48V經調節的輸入匯流排隔離式直流-直流轉換器中的半橋或全橋配置。相較於同類75V MOSFET,其80V額定電壓可提供額外6%的防護頻帶,使設計更堅固耐用。

0219_IRF1312 HEXFET
0219_IRF1312 HEXFET

IR台灣分公司總經理朱文義表示,「有很多用於主要應用系統的設計都需要75%元件降壓功能,現有75V MOSFET卻只能支援輸入電壓在56V或以下的系統。全新IRF1312 80V MOSFET可滿足60V或以下應用的降壓要求,因此能為36V至60V匯流排應用展現高度的可靠性,以迎合電信及數據通訊系統的要求。」

用作次要MOSFET時,IRF1312在12V應用系統中的效率比起標準75V MOSFET高出0.4%,適用於最大輸出電壓高達15V的次要電路。IR表示,全新MOSFET的柵電荷極低,可減低開關損耗;導通電阻也較低,能將傳導損耗降至最低。該元件設有TO-220AB、D2Pak及TO-262封裝。

關鍵字: 國際整流器公司  朱文義  電流控制器 
相關產品
IR擴展SupIRBuck系列
IR發表最新IR3502 Xphase控制IC
IR推出600V絕緣柵雙極電晶體(IGBT)系列
IR即時功率偵測IC 針對低壓DC-DC轉換器而設
IR推出保護式600V三相閘驅動器IC
  相關新聞
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
» SEMI提4大方針增台灣再生能源競爭力 加強半導體永續硬實力
» 國科會促產創共造算力 主權AI產業專區落地沙崙
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BA6OAVXQSTACUKX
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw