半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN^?產品GaN HEMT，被日本先進電子元件、電池和電源製造商村田製作所集團旗下Murata Power Solutions的AI（人工智慧）伺服器電源所採用。ROHM的GaN HEMT具有低損耗工作和高速開關性能，助力Murata Power Solutions的AI伺服器5.5kW輸出電源產品實現小型化和高效工作。預計於2025年開始量產。

650V耐壓、TOLL封裝的GaN HEMT有助進一步提高電源效率

近年來隨著AI（人工智慧）和AR（擴增實境）等在IoT領域的發展，資料通訊量在全球市場呈現持續增加的趨勢。其中，使用AI進行一次查詢所消耗的電量，據說比一般網頁搜索要高出數倍，因而需為處理該查詢的高速運算設備等供電的AI伺服器電源進一步提高效率。另一方面，具有低導通電阻和高速開關特性的GaN元件因有助電源的高效工作和週邊元件（如電源電路中使用的電感等）的小型化而備受矚目。

Murata Power Solutions Technical Fellow Dr. Joe Liu 表示：

很高興透過ROHM的GaN HEMT，使我們能夠設計出具有更高效率和更高功率密度的AI伺服器電源產品。利用GaN HEMT的高速開關工作、低寄生電容以及零反向恢復特性，可將對開關損耗的影響控制到最小，還可提高開關轉換器的工作頻率並削減磁性元件的尺寸。ROHM的GaN HEMT在性能方面非常具有競爭力，可靠性也很高，運用在我們的AI伺服器5.5kW輸出電源產品中，效果非常好。今後我們將繼續與在功率半導體領域具有顯著優勢的ROHM合作，努力提高各電源產品的效率，為電力供需吃緊等社會課題的解決做出貢獻。

ROHM LSI事業本部 Power Stage商品開發部 部長 山口 雄平 表示：

ROHM的EcoGaN^?能夠被電源領域的全球領導者Murata Power Solutions的AI伺服器電源產品所採用，我們深感榮幸。這次採用的GaN HEMT具有領先業界的開關性能，而且使用的是散熱性優異的TOLL封裝，有助Murata Power Solutions的電源產品實現更高功率密度和更高效率。另外在「以電子產品為社會做出貢獻」方面，Murata Power Solutions與ROHM的經營願景是一致的，我們希望今後也可以繼續與村田製作所合作，共同促進電源小型化和效率提升，為人類豐富多彩的生活貢獻力量。

關於Murata Power Solutions的AI伺服器電源產品

Murata Power Solutions的AC-DC電源「1U前端」系列產品，包括高功率密度Short Version的M-CRPS封裝3.2kW電源「D1U T-W-3200-12-HB4C」（輸出12V版）和「D1U T-W-3200-54-HB4C」（輸出54V版） ，另外還新增了AI伺服器用的5.5kW「D1U67T-W-5500-50-HB4C」等產品。Murata Power Solutions的前端電源的轉換效率極高，可滿足80 Plus Titanium和開放計算產品的最嚴格要求；另外還支援N+M冗餘工作，可提高系統可靠性，因此也適合為最新的GPU伺服器供電。除了能夠為伺服器、工作站、儲存系統和通訊系統提供高可靠性且高效率的電力，其高度較低的1U尺寸還有助減少系統面積。

關於ROHM的EcoGaN^?

EcoGaN^?是透過大幅優化GaN的性能，助力應用產品進一步節能和小型化的ROHM GaN元件。該系列產品有助應用產品進一步降低功耗、實現週邊元件小型化、減少設計工時和元件數量。