英飛凌科技（Infineon）推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET，以滿足工業和汽車電源應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級 SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙主動式橋式（DAB）、HERIC、降壓/升壓和相移全橋（PSFB）拓撲結構進行了優化。這些 MOSFET 適用於典型的工業應用（包括電動汽車充電、工業馬達驅動器、太陽能和儲能系統、固態斷路器、UPS系統、伺服器/資料中心、電信等）和汽車領域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉換器等）。

CoolSiC MOSFET 750V QDPAK

CoolSiC MOSFET 750 V G1 技術的特點是出色的 R_DS(on) x Q_fr和R_DS(on) x Q_oss優值（FOM），在硬開關和軟開關拓撲結構中均具有超高的效率。其獨特的高臨界電壓（V_GS(th)，典型值為4.3 V）與低 QGD/QGS 率組合具有對寄生導通的高度穩健性，並且實現了單極性閘極電壓驅動，不僅提高了功率密度，還降低了系統成本。所有半導體元件均採用英飛凌的自主晶片連接技術，在同等晶粒尺寸的情況下賦予晶片出色的熱阻。高度可靠的閘極氧化層設計加上英飛凌的認證標準，保證了長期穩定的性能。

全新 CoolSiC MOSFET 750 V G1 產品系列在 25°C 時的R_DS(on)為 8 至 140 mΩ，可滿足廣泛的需求。其在設計上具有較低的傳導和開關損耗，大幅提升了整體系統效率。創新的封裝更大程度地減少了熱阻、幫助改善散熱並優化電路內功率環路電感，在實現高功率密度的同時降低系統成本。該產品系列特別採用先進的QDPAK頂部冷卻封裝。

適用於汽車應用的 CoolSiC MOSFET 750 V G1 採用QDPAK TSC、D2PAK-7L和 TO-247-4 封裝；適用於工業應用的 CoolSiC MOSFET 750 V G1 採用 QDPAK TSC 和 TO-247-4 封裝。