全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm公司近日推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準，可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件。新元件還具備Transphorm經驗證的高壓動態（開關）導通電阻可靠性—取代市場上主流的代工e-mode氮化鎵所缺乏的可靠性。

Transphorm推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，為SMD高功率系統帶來SuperGaN的常閉型平台優勢，可實現更高的可靠性和性能，並產生較低的熱量。

這三款表面貼裝型器件（SMD）可支援平均運行功率範圍為1至3千瓦的較高功率應用，這樣的電力系統常用於高性能領域，如運算（人工智慧（AI）、伺服器、電信、資料中心）、能源和工業（光伏逆變器、伺服電機）以及其他廣泛的工業市場。目前，氮化鎵在這一市場領域的全球潛在市場規模（TAM）達25億美元。值得關注的是，該新型功率元件是目前快速發展的AI系統最佳化解決方案，AI系統依賴於GPU，而GPU的功耗是傳統CPU的10到15倍。

目前，各種高性能領域的主流客戶開始採用Transphorm的高功率氮化鎵元件，為其高性能系統提供電力支援，應用領域包括資料中心電源、高功率電競PSU、UPS和微型逆變器等。新型TOLL封裝器件也能夠用於電動汽車的DC-DC轉換器和車載充電器應用，因為核心SuperGaN晶片已通過汽車行業（AEC-Q101）標準認證。

TOLL形式的SuperGaN FET是Transphorm推出的第六款封裝類型，提供廣泛的封裝選擇，以滿足客戶的不同設計需求。該TOLL封裝器件利用Transphorm常閉型d-mode SuperGaN平台所固有的性能和可靠性優勢。

該650V SuperGaN TOLL封裝元件性能穩健，並且已獲得JEDEC資格認證。由於常閉型d-mode平台是將GaN HEMT與低電壓矽管配對，因此，SuperGaN FET可以簡單的選擇使用常用市售柵極驅動，應用於各種軟/硬開關的AC-DC、DC-DC和DC-AC拓撲中，提高功率密度，同時減小系統尺寸、重量和總成本。

SuperGaN TOLL封裝元件目前可提供樣品。