意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）之高壓寬能隙功率轉換晶片系列新增VIPerGaN100和VIPerGaN65兩款產品，適合最大功率100W和65W的單開關準諧振（Quasi-Resonant，QR）返馳式轉換器。

意法半導體100W和65W VIPerGaN功率轉換晶片可節省空間，並提升消費電子和工業應用的效能

此小尺寸與高整合度之產品的設計目標應用包括USB-PD充電器、家電、智慧建築控制器、照明、空調、智慧量表和其他工業應用的開關式電源（Switched-Mode power Supply，SMPS）。

每個元件均整合了脈寬調製（Pulse-Width Modulation，PWM）控制器和650V增強型GaN功率電晶體，可以利用一個標準光耦合器達到二次側穩壓功能。改產品採用5mm x 6mm QFN封裝，結合高整合度，確保電晶體具有非常出色的功率密度，並節省物料清單（BoM）成本。寬能隙電晶體技術還能夠提升效能，簡化熱管理設計。

這些轉換器晶片採用先進的電源管理技術，靜態電流低，在自我調整突波模式下，待機功耗低於30mW。每款產品配有準諧振模式，並具動態消隱時間和谷底同步功能，能夠降低開關損耗，在所有輸入線路和負載條件下最大限度地提升效能。這些效能優勢有助於降低目標應用之耗能，滿足全球生態設計規範的節能和淨零碳排放目標。

晶片亦整合了安全保護和可靠性功能，例如，輸出過壓保護、電流感測、輸入過壓保護、上電保護、掉電保護和熱關斷，以及用於抑制EMI頻率抖動技術，其中，輸入電壓前饋補償可以最大限度地縮小值功率變化。

VIPerGaN100 和VIPerGaN65現已量產，兩者皆採用5mm x 6mm QFN封裝。