高功率密度的需求日益成長，因此推動了開發人員在其應用中採用1500 VDC系統規格，以提高每台逆變器的額定功率和降低系統成本。不過，1500 VDC型系統在系統設計上帶來更多挑戰，例如在高DC電壓下快速切換，這通常需要多層次拓撲，因此需要複雜的設計和相對較多的元件數量。

英飛凌擴展CoolSiC系列推出2 kV電壓等級產品，為1500 VDC應用帶來便利的高功率密度解決方案

為了解決這項問題，英飛凌科技股份有限公司宣布擴展其CoolSiC產品組合高電壓解決方案，為新一代的光伏系統、電動車充電及儲能系統奠定基礎。

擴展的CoolSiC系列包括2 kV碳化矽（SiC）MOSFET以及2kV SiC二極體，適用於高達1500 VDC的應用。全新SiC MOSFET透過單一封裝提供低切換損耗與高阻斷電壓，最能符合1500 VDC系統的需求。

全新2 kV CoolSiC技術可提供低洩極源極導通電阻（RDS（on））值。另外，堅固的本體二極體適合硬切換控制。與1700 V SiC MOSFET相比，這項技術實現足夠的過電壓裕度，並使宇宙射線造成的FIT率降低10倍。此外，擴增的閘極電壓操作範圍使元件更易於使用。

新款SiC MOSFET晶片是以英飛凌最新推出的先進SiC MOSFET技術「M1H」為基礎。這項新技術可明顯擴增閘極電壓範圍，因此可改善晶片的導通電阻。

同時，增加的閘極電壓範圍可對閘極控制閘極驅動電路雜散的電壓峰值提供高穩定性，即使在高切換頻率下，也不會受到任何限制。英飛凌提供一系列EiceDRIVER閘極驅動器，其功能性隔離可達2.3 kV，以支援2 kV SiC MOSFET。

採用EasyPACK 3B與62mm模組的2 kV CoolSiC MOSFET的樣品目前已開始供貨，之後將推出新款高電壓分立式TO247-PLUS封裝。此外，英飛凌提供含有2.3 kV隔離功能EiceDRIVER的系列產品設計（design-in eco-system）。

Easy 3B（DF4-19MR20W3M1HF_B11）計畫於2022年第3季開始生產，這是一款含有4個升壓電路的電源模組，可作為MPPT級1500 V PV串列型逆變器。而採用半橋式組態（3、4、6 mΩ）的62mm 模組將於2022年第4季投入生產。採用近期獲獎的.XT互連技術的分立式裝置預計將於2022年底上市。