埃賦隆半導體（Ampleon）推出兩款新型寬頻碳化矽基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率電晶體（HEMT），功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。這兩款高線性度元件是最近通過認證並投入生產的第3代GaN-SiC HEMT制程的首發產品。

Ampleon發佈增強效能的第3代碳化矽基氮化鎵電晶體

這些元件提供了低偏置設置下的寬頻高線性度特性，進而提高了寬頻線性度水準（在5dB時三階互調低於-32dBc；在2:1頻寬上從飽和功率回退8dB時則低於-42dBc）。寬頻線性對於當今國防電子設備中所部署的頻率捷變無線電至關重要，後者用於處理多模通訊波形（從FM訊號一直到高階QAM訊號）並同時應用對抗通道的情況。這些要求苛刻的應用需要電晶體本身具有更好的寬頻線性度。根據市場回饋，埃賦隆半導體第3代GaN-on-SiC HEMT電晶體可滿足這些擴展的寬頻線性度要求。

此外，這兩款第3代電晶體還採用了增強散熱封裝以實現可靠運行，並為30W器件提供高達15:1的極耐用的VSWR耐受能力。該耐用性還可擴展到A類放大器工作模式，這在具有飽和閘極條件下，同時要在擴展頻率範圍內在寬動態範圍內保持線性度的儀器應用中很常見。埃賦隆半導體的第3代GaN-on-SiC HEMT電晶體為寬頻應用的高線性GaN技術設立了新標準，同時保持了出色的散熱效能和耐用性。