台積電12日宣布開發出鰭式場效電晶體(FinFET)元件雛型，此新式互補金氧半導體(CMOS)電晶體閘長小於25奈米；聯電與Micronas簽訂五年晶圓代工協議，並取得MIPS的Amethyst核心授權；新加坡特許(Chartered)則取得Unive的混合信號輸出入矽智產元件。

FinFET源自於傳統標準的場效電晶體 (FET)，在傳統電晶體結構中，控制電流通過的閘門，只能在一側控制電路接通與斷開。預期可以進一步縮小至9奈米(0.09微米)，大幅改善電路的可控性及漏電流問題，並解決CMOS製程的物性限制，並可使CMOS製程生產技術再延伸約二十年以上。。

聯電與德商Micronas則宣佈五年晶圓專工協議，聯電將為Micronas生產混合信號晶片。聯電表示，Micronas第一階段平面顯示器控制晶片設計已於四月完成，現正驗證中，而單晶片混合類比與數位電視解碼器的首批試產(firstengineering)也正進行中，兩樣產品皆採用聯電0.18微米混合CMOS製程技術。

特許則表示，目前Unive的包括LVDS、SSTL2與USB2.0元件，將使用特許0.13至0.18微米製程，同時也提供擴展到0.09微米技術的空間。