英特爾公司發表3伏特Intel StrataFlash快閃記憶體，該產品採用先進的0.25微米製程與多階微細胞技術，故能在單一高密度的128Mb晶片上兼具程式碼執行與資料儲存能力。此支援Page Mode功能之NOR Flash快閃記憶元件不僅提供最大的儲存容量，並可進行高速44奈秒(ns)的高效率讀取，為各種掌上型設備、智慧型手機、PC Companion、網路設備、視訊轉換器，以及其它上網硬體等設備，擴增其功能並增進其上網效率。

英特爾亞太區行銷總監黃逸松表示：「我們以2-bit-per-cell的多階製程技術打破了莫爾定律，提供讀取速度更快、密度更高的快閃記憶體。這項能讓資料及程式碼共存、且功能完備的快閃記憶體軟硬體組合解決方案，提供OEM廠商一個嶄新的設計方案，滿足網路連結設備的功能需求。」

此新一代元件單晶片內的儲存容量倍增至128Mb，使3伏Intel StrataFlash TM成為容量最大的NOR式快閃記憶體，讓OEM廠商可以減少主機板上晶片的使用數量，甚至改善內部資料儲存容量以放入更多客戶需求的新功能。而其新增的容量可儲存大量資料，以滿足下一波網路連結設備的功能需求。

此款3伏特Intel StrataFlash快閃記憶體，透過新增的Page Mode功能，其資料讀取速率可達44奈秒(ns)，為一般非同步模式的三倍。Page Mode介面乃使用一項分離的外部緩衝記憶體來增進其效能。

此項產品預計將有三種不同之容量推出上市。目前，128Mb 3伏特 Intel StrataFlash元件已有樣品提供，預計將於九月量產供貨。128 Mb產品每千顆量購單價為每顆29.90美元。