模拟讯号处理及功率管理方案供货商Zetex Semiconductors，近日推出一系列采用SOT23封装的中电压双极晶体管，可处理高至1.25W的功率耗散。新系列包括7款NPN和6款PNP组件，面积为3x2.5毫米，它们可取代体积更大的DPAK、SOT89和SOT223部件，大大提升电路的功率密度。

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ZXTN及ZXTP双极组件的集电极-射极电压介乎40V至100V，有助建立在汽车、工业和电讯应用中用以驱动电灯、继电器与螺线管的高效率交换装置。

由于该系列晶体管能阻挡高至180V的电压，又可处理高至5A的连续集电极电流，因此能切换高至500W的负载。此外，它们的额定脉冲电流高至12A，所以能以更高速度，驱动电源供应电路中具有更高电容的MOSFET及IGBT。

这些晶体管的饱和电压十分低，以50V额定ZXTN2031F为例，只有40mV；等效通态电阻也低于其他具有相同封装尺寸的MOSFET，以100V额定ZXTN2020F为例，只有30mΩ，因此耗散更少热量，操作温度更低。

此外，Zetex这些新型高效率双极晶体管的增益甚高，40V额定ZXTP25040DFH的增益至少达300。它们不需要额外缓冲，也可让IC直接驱动更大负载。