Vishay Intertechnology公司拥有80.4% 股份的子公司Siliconix incorporated宣布推出芯片尺寸级的新型P 信道功率MOSFET 器件，该种底面积不足3 平方毫米的器件均可提供业界最低的导通电阻。针对电池开关、功率放大器、负载开关和充电器应用，这种新型MICRO FOOT. Si8413DB 器件在栅极驱动电压爲4.5V时可提供最大仅48 毫欧的导通电阻，比先前市场上最佳的同类芯片尺寸MOSFET 低31%。栅极驱动电压爲2.5V 时，所提供的最大导通电阻低于63 毫欧。这种新型器件的击穿电压爲-20V。

Vishay表示，Si8413DB 的底面积爲1.54 毫米×1.54 毫米，高度爲0.62 毫米，其性能可与采用较大的TSOP-6 封装的器件相媲美，而所占的空间却是上述器件的1/4。当用于PDA、蜂窝电话、传呼机和其他携带型电子设备时，新型MICRO FOOT 器件能够使设计人员设计出更小、更薄的终端産品，并添加更多的功能和／或延长两次电池充电之间的运行时间。Vishay Siliconix MICRO FOOT. 器件采用了焊球工艺和由Siliconix 开发的专有技术，无需使用装入功率MOSFET芯心的外包装，从而极大缩小了在蜂窝电话和其他掌上型电子设备内转换功率和模拟信号所需器件的尺寸。作爲MICROFOOT 系列的最新産品，Si8413DB 的最大导通电阻分别比先前推出的Si8411DB 和Si8401DB 低17% 和31%。目前，Si8413DB 的样品及量産批量均可供应，大宗定单的供货周期爲12 周。