拥有80.4%股份的Vishay子公司Siliconix日前宣布推出针对创记录的P 信道MOSFET系列的目标应用：汽车12V板网（boardnet）高端开关与电动机驱动器。这种新型–40V 与–60V 器件是首款采用Vishay 高级P 信道技术构建的具有额定击穿电压的器件，该技术将MOSFET 导通电阻降到了低于记录的水平。目前推出的六款器件的最大rDS（on）额定值为4.2m.～15 m.。

新型TrenchFET

由于P 信道MOSFET无需其他高端驱动电路来打开，因此与N 信道解决方案相比，这些新型–40V 与–60VTrenchFET 将有助于设计人员减少汽车与工业系统内的组件数并提高这些系统的可靠性。当用于替代上一代P 信道器件时，这些新型TrenchFET还能够使设计人员降低系统功耗。与市场上具有相同额定电压和封装外形的其他最佳P 信道MOSFET相比，这些新器件的传导损耗降低了90%。

由于P 信道MOSFET 无需其他高端驱动电路来打开，因此与N 信道解决方案相比， 这些新型–40V 与–60VTrenchFET将有助于设计人员减少汽车与工业系统内的组件数并提高这些系统的可靠性。