意法半导体（STMicroelectronics，ST）的沟槽式低压MOSFET STripFET F7系列将扩增60V的产品线，可协助电信、伺服器和桌上型电脑的电源以及工业电源和太阳能微逆变器的DC/ DC 电源转换器达到严苛的能效标准、最大幅度地提升电源功率密度。

意法半导体的先进60V功率MOSFET为提高同步整流电路能效量身订制

STripFET F7 MOSFET不仅大幅提高了导通能效与开关性能，还简化了通道间的沟槽式结构（trench-gate structure），实现极低的导通电阻、电容及闸极电荷，并取得优异的品质因数（ RDS(ON) x Qg）。此外，本质二极体的恢复电荷（recovery charge）非常低，有助于提升开关性能。高抗雪崩特性及耐用性确保了在恶劣条件下的稳健性能，反向传输电容对输入电容（Crss/Ciss）的比值低，有助于强化抗电磁干扰（EMI immunity）。

意法半导体的60V STripFET F7 MOSFET是为同步整流电路所订制，能以更少的平行元件达成最大目标电流，借此提高功率密度、降低元件使用数量。该系列共有12款产品，涵盖了所有工业标准电源，最大输出电流从90A到260A （在Tc = 25°C下，矽限制连续汲极电流）。新产品提供多个封装选择，包括PowerFLAT 5x6、PowerFLAT 3.3x3.3、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、２针脚或６针脚H2PAK。所有产品均已量产（包括采用PowerFLAT 5x6 封装的90A STL90N6F7）。 （编辑部陈复霞整理）