意法半导体（ST）于近日宣布，推出新一代高频功率晶体管。新産品可有效延长如医学扫描仪和电浆产生器（plasma generator）等高功率射频设备的工作时间，并可提高应用性能及降低设备成本。

ST推出最先进技术可延长医学影像设备的使用寿命

经制程升级后，意法半导体最新的射频功率MOSFET晶体管可承受高达200V的峰值电压，较同类竞争産品高20%以上。更高的耐用性可有效延长功率晶体管的使用寿命，从而降低设备的停机时间和经营成本。先进的制程还能提高MOSFET的增益、能效及高功率特性，进而提高设备性能，并简化设计。

此外，新産品采用最新的陶瓷封装和意法半导体的塑料气腔封装技术（Air Cavity，STAC），这两种封装可加快裸片散热过程和提高可靠性，进一步降低设备维护成本。

SD4931和SD4933分别是150W和300W N信道射频功率MOSFET晶体管，适合用于50V DC讯号高达250MHz的应用。采用意法半导体的强化垂直硅制程和配备供螺栓式（bolt-down）安装凸缘（flanges）的陶瓷封装是这系列组件的两大优势。