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【CTIMES/SmartAuto 报导】   2011年04月01日 星期五

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Ramtron International Corporation (简称Ramtron)近日宣布,推出W系列的 F-RAM内存,W系列器件具有串行I2C、SPI接口和并列接口(parallel interface),可提供从2.7V到5.5V的宽电压范围。此外,W系列具有更高的性能,如工作电流(active current)需求降低了25%至50%,串行器件的首次存取启动(初始上电)速度加快20倍。该系列中FM24W256和FM25W256器件分别带有256-Kbit串行I2C和SPI接口。64-Kbit FM16W08和256-Kbit FM18W08器件则带有一个并行通信接口。

Ramtron推出具有宽工作电压范围的串并列F-RAM内存
Ramtron推出具有宽工作电压范围的串并列F-RAM内存

“W系列 F-RAM内存所具有的宽工作电压范围,可协助系统设计人员降低工作电流,提高系统性能。系统能够检测出早期的功率损失,控制器的数据写入电压可降至2.7V,从而保护重要数据避免受到毁损或丢失。W系列的宽工作电压范围带来更大的灵活性,能够让客户所需的库存组件数量降到最少。”

關鍵字: Ramtron  存储元件 
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