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ROHM推出低驱动电压及高效率的SiC萧特基二极管
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2010年06月22日 星期二

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ROHM日前最近推出拥有低损耗、高耐压特性的新世代功率组件SiC(碳化硅)材料的萧特基二极管(SBD)「SCS110A系列」开始量产。「SCS110A系列」比其他厂商量产的SiC-SBD在顺向电压及导通阻抗方面获得改善,适合使用在EV(电动车)/HEV(油电混合车)及空调等需要进行功率转换的Inverter,Converter,PFC电路(功率因素校正电路)等多种用途。

近年来在,电力电子技术方面,半导体组件造成功率转换时的损耗逐渐形成问题,从环保观点也促使对于较硅材料更低损耗的SiC功率组件的研发推展。ROHM于2004年成功完成SiC MOSFET试作品,接着完成SiC萧特基二极管及由以上组件所构成的电源模块试作成功。

这次开始量产的「SCS110A系列」的反向回复时间(trr)仅15nsec比一般硅材质快速回复二极管(35nsec~50nsec)相比大幅缩短回复时间,回复时的损耗也降到仅1/3。依此特性,若使用在Inverter、Converter、PFC电路,损耗大幅降低发热量也跟着减少。与硅材质的FRD相比,特性随温度变化极少,能使用较小的散热片。与之前的SiC制萧特基二极管比较,具有trr特性改善、芯片尺寸缩小15%等各种优点。

在量产化方面,萧特基接触屏障的均匀性、不需高温处理的高阻抗防护环(Guard Ring)层成形等曾经是技术瓶颈的问题也获得解决,顺利完成社内一贯化生产体制。和之前量产的SiC萧特基二极管相比,藉由降低操作时的阻抗值,其顺向电压也随之降低(VF=1.5V(标准值)10A时)与温度特性更优良,大幅提升性能达到高效率。

關鍵字: ROHM 
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