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NXP推出NextPower MOSFET最低RDS全面提升效率
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2011年06月20日 星期一

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NXP推出NextPower MOSFET最低RDS全面提升效率
NXP推出NextPower MOSFET最低RDS全面提升效率

恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布,推出LFPAK封装的NextPower系列25V和30V MOSFET将增添15款新产品并已开始供货。这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方面达到最佳平衡点,并具备业界最低的RDS(on)(25V和30V均为sub-1 mΩ型),是高性能、高可靠性开关应用的理想首选。传统方法主要着眼于降低RDS (on) 和Qg,而恩智浦NextPower则采用超级接面技术使得低RDS(on)、低Qoss、低Qg(tot)与Qgd之间的平衡达到优化,进而达成强大的开关性能,减少漏极输出与源极引脚之间的损耗,同时提供杰出的SOA性能。此外,恩智浦LFPAK为最坚固的Power-SO8封装,尺寸精巧,面积仅5mm x 6mm,可在恶劣环境下提供出色的功率开关功能。

關鍵字: NXP 
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