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NXP将推出采用硅锗碳制程技术的射频/微波产品
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎报导】   2010年05月25日 星期二

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恩智浦半导体(NXP)于日前宣布,针对高频无线电应用推出一系列采用最新硅锗(SiGe)制程技术开发的新产品。并预计在2010年底前推出超过50种采用硅锗碳(SiGe:C) 技术之产品。该产品制程可提供高功率增益,和极佳的动态范围,专为满足现实生活中无线、宽带通讯、网络和多媒体市场领域的高频应用需求而设计。

恩智浦表示,目前已有十多种SiGe产品上市,采用其QUBIC4技术开发并销售的RF产品已超过两千五百万件。该产品制程可让无线设备制造商增加更多设备功能,同时可节省空间、及节约成本。其QUBiC4技术,可加快从GaAs技术至硅芯片技术的转移速度,带来低噪声性能和IP可用性。

目前,恩智浦提供三种不同的QUBiC4技术:QUBiC4+是针对小于5GHz应用的硅制程,例如中功率放大器;QUBiC4X约于6年前推出,是一种0.25µm SiGe:C 制程,常用于高达30GHz和极低噪声应用,例如GPS;最新推出的0.25µm QUBiC4Xi SiGe:C制程,特征频率(Ft)超过200GHz,特别适合30GHz以上,以及要求极低噪声系数的应用,例如VSAT和雷达。

以QUBiC4技术为基础的产品涵盖行动平台、个人导航设备、主动式电子扫描数组雷达、卫星DBS/-VSAT、电子计量设备、软件无线电技术、基地台、点对点无线连接及无线局域网络(WLAN) 等领域,皆是高频和高整合度相当重要的领域。终端用户的获益于在手机变得更小巧、更轻便的同时,仍能不断地增加更多功能。

關鍵字: NXP 
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