Microchip近日宣布，在其RF功率放大器产品线中，加入新款SST12LP17E和SST12LP18E组件。SST12LP18E则具备较低成本和低工作电压，可取代Microchip的SST12LP14E功率放大器。

BigPic:316x200

SST12LP18E具备Microchip全系列RF功率放大器中最低的工作电压，并可在-20至+85℃的环境下工作；该组件的工作电压低至2.7V，在IEEE 802.11g OFDM 54 Mbps标准下、EVM值为2.5% 时线性功率输出高达18.5 dBm，在IEEE 802.11b标准下则为23.5 dBm，而在IEEE 802.11b标准下高功率附加效率则高达38%。该放大器采用8接脚2 mm x 2 mm x 45 mm QFN封装，为小尺寸、高效率和采用电池电源的嵌入式WLAN应用提供了理想的解决方案，例如消费性电子市场、手机、游戏机、打印机和平板计算机。

工程人员面临着为应用延长电池寿命的挑战，Microchip推出的全新组件透过提供高功率附加效率（power-added efficiency）降低电池功耗，并透过低工作电压进一步延长了电池寿命，从而满足工程人员的需求。与SST12LP17E搭配的输入和输出埠容易使用，可以加快将产品推向市场的速度；此外，该组件无需搭配外部RF组件，只需要一个外部电容，节省更多的电路板空间。

Microchip射频部门副总裁Daniel Chow表示，Microchip透过发布全新的功率放大器，未来将能协助客户在同样的温度条件下，以更低的工作电压达到同样可靠运作的效能。这些能在低电压条件下达成高效运作能力的组件协助延长消费性电子产品的电池寿命。