飞思卡尔半导体发表首款商用磁阻式随机存取内存(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)组件，并已投入量产。

飞思卡尔的4兆位MRAM产品是一款耐用性极佳的高速非挥发性内存，这种高速且耐用的特性组合是任何半导体记忆装置都无法提供的。该组件系以一百多项飞思卡尔的MRAM专利技术为基础，其中也包括了交替位转换(toggle-bit switching)技术。

MRAM将磁性材质与传统硅晶电路结合，在单一组件中提供具备SRAM速度等级的非挥发性闪存。飞思卡尔推出此项技术的商业应用后，便可促使新一代的电子产品在尺寸、成本、功率消耗及系统性能上获致重大的进展。

飞思卡尔策略与业务开发资深副总裁兼技术长Sumit Sadana指出，「MRAM研发及制造方面的领先成就，证明飞思卡尔有能力将次世代的半导体技术从实验室推向市场，以嘉惠客户，同时也证明飞思卡尔的创新成就，以及致力于提升业界水平的强烈承诺。」

这款名为MR2A16A的飞思卡尔首创商用MRAM产品，适合用于网络、安全、数据储存、娱乐游戏及打印机等多种商业应用。该组件在设计上，便是希望成为可靠、经济的单一组件，以取代使用电池驱动的SRAM装置。本组件也可用于缓冲存储器、组态储存内存，以及各种需要高速、弹性及非挥发性MRAM的应用。