Vishay宣布推出新型20-V和30-V p-信道TrenchFET功率MOSFET。该器件采用SO-8封装，具有±20-V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。

Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET

现有的同类SO-8封装器件额定电压下导通电阻仅低至24 mΩ，而Si7633DP具有3.3 mΩ（在10 V时）及 5.5 mΩ（在4.5 V时）的超低导通电阻。这些值比一般30-V器件低27%（在10 V时）和28%（在4.5 V时），比一般25-V SO-8器件分别低28%和15%。30-V Si7135DP的导通电阻为 3.9 mΩ（在10 V时）和6.2 mΩ（在4.5 V时），比一般同类器件分别低13%（在10 V时）和19.5%（在4.5 V时）。

两款 MOSFET均采用PowerPAK SO-8封装，可容许比其他SO-8封装器件高60%的最大漏电流和高75%的最大功率损耗。

该器件可用作适配器切换开关，用于笔记本计算机及工业/通用系统中的负载切换应用。适配器切换开关（在适配器/墙壁电源和电池电源间切换）一直处于导通状态，消耗电流。Si7135DP和Si7633DP的低导通电阻能耗低，节省电力并延长两次充电间的电池可用时间。Vishay还推出了采用SO-8封装的 Si4459ADY 30-V p-信道TrenchFET功率MOSFET。该器件具有5 mΩ（在10 V时）和7.75 mΩ（在4.5 V时）的导通电阻。此次推出的所有器件100%通过Rg和UIS认证，且不含卤素。