飞凌日前宣布推出新型 ThinPAK 8x8 无铅 SMD 封装的高压 MOSFET。新型封装面积仅有 64mm² （小于 D2PAK 的 150mm²），且高度仅 1mm（低于 D2PAK 的 4.4mm），不但尺寸极小，又具备标准的低寄生电感，为设计人员提供一个全新且有效缩小系统方案尺寸的功率密度设计。英此高度 1mm 的新型表面黏着封装，将TO-220 业界标准芯片尺寸置于面积仅 8x8mm 的无铅外壳内，并具备裸露的金属汲极接垫，可有效排除内部产生的高温。其精巧的体积可让设计人员设计出更轻薄的电源供应器外壳，满足现今市场对轻巧时尚新产品的需求。目前已经有两家公司采用此新标准：英飞凌及意法半导体将推出采用此创新封装方式的 MOSFET，分别命名为 ThinPAK 8x8（英飞凌）及PowerFLAT 8x8 HV（意法半导体），为顾客提供高质量的产品选择。

英飞凌新型 ThinPAK 8x8 无铅 SMD 封装的高压 MOSFET

英飞凌高压 MOS 功率离散组件产品线经理Jan-Willem Reynaerts表示：「此类封装为高压 MOSFET 专用的无铅 SMD 封装设立了新的市场标准，我们并与意法半导体共同宣布推出采用此封装的产品。诸如 CoolMOS等硅晶技术已在效率及快速转换方面占有相当的优势，反观传统插入式（through-hole）封装成为产品节能与功率密度升级之限制。」

ThinPAK 8x8 封装的特性为：来源电感极低，仅2nH（D2PAK 为 6nH）、独立的驱动器来源连接（纯闸信号）以及与 D2PAK 类似的散热效能。因此，ThinPAK 8x8 能够支持更快速且更有效的Power MOSFET 转换，并更轻松地处理晶体切换及EMI问题。

英飞凌将先针对 600V CoolMOS组件推出三种封装方式的版本：199 mOhm （IPL60R199CP)、299 mOhm（IPL60R299CP）及 385 mOhm（IPL60R385CP）。