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Fairchild推出锂离子电池组保护设计解决方案
 

【CTIMES/SmartAuto 蕭惠文报导】   2011年12月22日 星期四

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快捷半导体(Fairchild)近日开发出PowerTrench MOSFET组件FDMB2307NZ。该组件具有能够缩小设计的外形尺寸,并提供所需的高效率。FDMB2307NZ专门针对锂离子电池组保护电路和其它超可携式应用而设计,具有N信道共同漏极MOSFET特性,能够达成电流双向流动。

Fairchild开发PowerTrench MOSFET组件FDMB2307NZ,专门针对锂离子电池组保护电路和其它超可携式应用而设计。
Fairchild开发PowerTrench MOSFET组件FDMB2307NZ,专门针对锂离子电池组保护电路和其它超可携式应用而设计。

FDMB2307NZ采用PowerTrench制程,具有高功率密度,并在VGS=4.5V,ID=8A条件下具有最大16.5mΩ的Rss(on),从而获得更低的导通损失、电压降和功率损失。FDMB2307NZ还具有出色的热性能,使得系统工作温度更低,进一步提高效率。

新组件采用2x3mm2MicroFET封装,为设计人员带来MLP解决方案,节省客户设计的线路板空间。FDMB2307NZ满足RoHS要求,而且具有2kV的HBM ESD防护功能。快捷半导体利用电路技术整合在微型封装中,同时能够减小设计的尺寸、成本和功耗。

關鍵字: MOSFET  Fairchild 
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