为了加速在65-nm和45-nm节点的晶体创新，KLA-Tencor正式推出eS32—再次将其领先市场之电子光束检测平台延伸至另一境界。eS32具有细微电子与小型物理缺陷的捕获能力，使得晶圆厂可以将许多新的物质与装置架构整合至大量生产中。eS32是KLA-Tencor下一代的检测解决方案，并成为这套解决新产生技术节点之完整检测系统的基础。eS32还利用先进的特色与功能设定新的效能标准，以加速在前段制程(FEOL)与后段制程(BEOL)应用中，分类与影响良率之缺陷的侦测与解决。

KLA-Tencor的eS30和eS31在协助尖端芯片代工厂克服130-nm和90-nm技术节点中与铜有关的BEOL良率挑战中，扮演极为重要的角色。而其新一代的eS32产品同样也突破了65-nm和更小节点的障碍。除了提供业界认可的BEOL解决方案以外，eS32还提供了广泛的成像条件，它是捕获影响良率且不断增加的FEOL瑕疵种类数目的利器。时至今日，由于电子光束检测系统已能够提供快速回馈，因此逻辑制造商已可找出并克服整合式镍硅化物(NiSi)中的FEOL问题，并将进入其中的硅过滤出来。此外，eS32的架构在设计时便是要解决晶圆厂在不断创新以满足装置速度和功率消耗的考虑时，可能会遇到的良率问题挑战。

DRAM制造商面临产品生命周期缩短的问题，因此有越来越多的制造商专注于将新的工艺立即投入大量生产当中。由于这些制造商使用日益增加的小型电池，他们面临了关键FEOL以及相互连接的挑战—从检测较高的高宽比填孔和电容器，到解决小型物理缺陷日益增加的良率影响。eS32有助于快速找出影响DRAM制造商的关键缺陷机制。

「具备与客户合作所获得的广泛知识以及我们对于应用丰富的专业知识，我们将全力发展先进的解决方案，协助我们客户成功创新技术并维持高度竞争力」芯片检验小组的小组副总裁表示：「eS32持续我们前几代的电子光束检测工具的领导优势，重申我们对于帮助客户成功的承诺。」