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IR推出四款新型12V HEXFET功率MOSFET
适用输入电压较低负载点降压转换器

【CTIMES/SmartAuto 蘇沛榕报导】   2003年03月20日 星期四

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国际整流器公司(International Rectifier)​​,推出四款新型12V HEXFET功率MOSFET,适用于输入电压较低(一般为3.3V及5V)的负载点降压转换器。新MOSFET的电流处理效能较业界标准30V元件高出15%,非常适用于电信及数据通讯系统、桌上型电脑、伺服器及游戏机内的负载点降压转换器。

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全新IRF7476、IRF7475、IRLR3802和IRLU3802 N通道MOSFET,以及IRF7910双N通道MOSFET皆经过最佳化,元​​件导通电阻及栅电荷均较低,传导及切换损耗因而得以大幅降低。

在低输入电压负载点降压转换器中,同步及控制MOSFET的工作周期颇为相似,一般高于30%。因此两种MOSFET可采用类似的规格,同时降低传导及切换损耗。

在6A或以下的负载电流方案中,独立的控制及同步MOSFET能以单一IRF7910双MOSFET代替,大幅节省机板空间。至于10A或以下的应用系统,可选用两个IRF7476或IRF7475 MOSFET;12A或以下电路则可采用IRLR3802。

關鍵字: International Rectifier  电压控制器 
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