半导体制造商ROHM新开发出兼具业界顶级低导通损耗^※1和高速开关特性的650V耐压IGBT^※2 “RGTV系列（同级短路承受^※3能力版）”和“RGW系列（高速开关版）”，共计21种型号。

ROHM开发出业界顶级650V耐压IGBT RGTV/RGW系列，兼具高效率与高速开关特性。

这些产品在功率转换上表现优异，适用於UPS（不断电供应系统）、焊接机及功率调节器等工业设备，以及空调、IH（电磁感应加热）等消费电子产品上的通用变频器及转换器。

本次新产品采用了晶圆薄化技术及ROHM独家结构技术，在低导通损耗和高速开关特性方面进行了权衡取舍，实现了业界顶级性能表现。例如，使用於交错式PFC电路时，与传统产品相比，轻载时效率提升了1.2%，重载时效率则提升了0.3%，有助於进一步降低应用装置的功耗。另外透过元件内部的优化，实现更顺畅的高速开关表现。与同级通用产品相比，成功降低了50%的电压过冲^※4，因此可减少使用防止电压过冲的元件数，大幅降低设计负担。

近年来，随着IoT进化而带来的资料量?加，对於提升资料中心性能的要求越来越高。除了核心的伺服器外，加上稳定供电上不可或缺的不断电系统UPS，增加了系统整体耗电，如何进一步降低功耗已成为重要课题。

另外，在使用IGBT的大功率应用中，为维护设备的可靠性，必须对引发元件或设备故障的开关过冲采取对应措施，对於简化系统的呼声也日益提升。

本系列产品已於2017年10月开始样品出货（样品价格400日元～/个：不含税），并於2017年12月初期以月产10万个的规模投入量产。前段制程的制造据点为LAPIS半导体宫崎株式会社（日本宫崎县），後段制程的制造据点为ROHM Integrated Systems (Thailand)（泰国）。

实现业界顶级的低导通损耗和高速开关性能

在本次的新产品中，利用晶圆薄化技术使晶圆厚度比传统产品再薄15%，另外采用ROHM独家的微型结构技术，成功实现业界顶级的低导通损耗（V_CE(sat)＝1.5V）和高速开关特性（tf=30～40ns）。

缓开关设计 减轻设计上的负担

通过元件内部优化，实现了ON/OFF可顺畅切换的缓开关方式。因此开关时产生的电压过冲与普通产品相比减低了50%，可减少用来抑制过冲的外接闸极电阻和缓冲电路等元件数量。使用IGBT时，应用装置不再需要传统的过冲对策，有利於减轻设计上的负担。

产品阵容新增了同级短路承受能力版在2μs的RGTV系列，和具高速开关性能的RGW系列，支援应用范围更广。

＜名词解释＞

※1 导通损耗

MOSFET和IGBT等电晶体因元件结构的缘故，在电流流动时发生电压降。

导通损耗是因这种元件的电压降而产生的损耗。

※2 IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘闸双极电晶体）

兼具MOSFET的高速开关特性和双极电晶体的低传导损耗特性的功率电晶体。

※3 短路承受量

对引起元件损坏的短路（将电路中的二节点以低阻值电阻连接）的承受能力。

※4 电压过冲

开关ON/OFF时产生超出规定电压值的电压。

电压值因过冲而暂时超出稳态值，之後返回到接近稳态值。