19家欧洲知名半导体企业和学术机构宣布正式启动为期3年、3.6亿欧元的Places2Be先进技术试产项目，可支持完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管组件（Fully-Depleted Silicon-On-Insulator ，FD-SOI）技术的产业化。

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供货商意法半导体被指定为该项目的负责方。 Places2Be（Pilot Lines for Advanced CMOS Enhanced by SOI in 2x nodes， Built in Europe）项目旨在于支持28奈米及以下技术节点的FD-SOI试产产线的部署以及在欧洲实现规模生产的双货源。Places2Be将有助基于FD-SOI平台的欧洲微电子设计生态系统发展，同时探索此项技术向下一个目标（14/10奈米）发展的可能性。

FD-SOI是下一代低功耗、高性能半导体制程，可取代传统CMOS制程和FinFET技术。首批FD-SOI系统单芯片预计将被用于消费性电子、高性能运算和网络系统。

项目预算近3.6亿欧元，来自7个国家的19个组织参与该项目，在三年项目执行期内，计划约500名工程人员在欧洲参与项目研发活动，Places2Be是ENIAC联盟迄今最大的项目，投资方还包括项目成员国的国家机关。Places2Be是ENIAC JU签定的关键使能技术（KETs，key enabling technologies）试产项目之一，旨在于开发对社会具影响力的技术和应用领域。

该项目的FD-SOI制造源位于欧洲两个最大的微电子聚集地：试产产线在意法半导体的Crolles工厂（法国Grenoble附近），双制造源在德国Dresden的GlobalFoundries1号工厂。

意法半导体研发合作计划总监暨项目协调人Francois Finck表示：「Places2Be项目将加强法国Grenoble和德国Dresden两个微电子聚集地的生态系统发展，除材料和IP投资产生的直接影响外，还会对欧洲整体产业链：大中小型企业、创业公司和研究机构产生正面的影响。」