ST宣布，该公司已经开发出一种替代传统使用砷化镓(GaAs)为材料的手机用射频功率放大器的新产品。截至目前为止，移动电话制造商仍被迫使用昂贵的GaAs组件以生产所需的功率放大器，因为硅制程仍然满足移动电话用900-1900MHz射频频率所需的效能要求。

砷化镓(GaAs)为材料的手机用射频功率放大器

ST表示，尽管砷化镓、磷化铟镓等半导体材料已被使用在许多特殊应用中，但绝大多数的电子组件仍然是'硅芯片'，这意味着它们采用硅做为原料，这种半导体材料较便宜，来源多且无毒性。

ST公司位于意大利Catania大学，负责研发此一新技术的离散与标准电路小组负责人Giuseppe Ferla表示，「如果制造商们有更多选择，那么他们不会选择硅以外的材料，但是移动电话制造商不同，因为直到现在，硅芯片的功效都无法达到手机用功率放大器的标准。」

ST公司在连接新射频组件的设计方案上增强了硅芯片双极技术，这是有始以来第一次，硅芯片得以实现与砷化镓组件相同的，在手机需求频率范围应用上之需求，新技术保留了所有硅芯片技术的优点，如低价、可靠度与灵活度。值得一提的是，由于新的功率放大器是采用硅为材料，因此其偏压与电源控制电路的应用均相同于当前常用的分离式硅芯片，它能与电源组件合并使用，提供高水平的整合度，当然，它也具备极佳的成本效益。

尽管仍有许多潜在应用，但这项新技术在发展时，是特别针对移动电话制造商的需求而设计的。"蜂巢式手持装置市场正面临激烈的竞争，迫使制造商们大幅压缩零件成本。我们最初瞄准的方向，是延伸硅芯片技术的效能，使移动电话制造商无需被迫使用昂贵且整合性较硅为低的砷化镓做为功率放大器的主要材料。

ST预计在2002年4月发表第一款商用化产品，预料这颗新组件在整合ST的先进技术与Catania大学在射频设计上的创新连接技术后，将能完全取代现有的砷化镓组件，让移动电话制造商在无需牺牲功效的情况下，有效降低其零件成本。