意法半导体（ST）于日前宣布，推出内嵌90nm制程闪存的微控制器，其整合针对工业标准的ARM Cortex-M3，内核优化的自适应实时（ART）内存加速器，进一歨提升STM32微控制器系列的性能和功耗。

ST表示，90nm嵌入式闪存技术的性能，已经在智能卡和汽车电子IC上得到实证。意法半导体已于2009年发布内嵌90nm 闪存的微控制器的样品。由于ARM Cortex-M3的性能较闪存技术高，在作业频率较高时，处理器必须等待闪存；意法半导体的ART内存加速器可平衡这一固有的性能差距。现在，在作业频率达到120MHz时，CPU无需等待闪存，进而提高系统的总体速度和效率。

有了ART内存加速器这种性能，开发人员可以在微控制器上执行更多的系统功能，无需使用更加昂贵的微控制器或DSP辅助芯片。最新采用90nm制程和ART内存加速器的多款STM32産品，已通过嵌入式微处理器基准协会的CoreMark测试。目前主要客户已开始测试新款内建ART内存加速器的90nm微控制器样品。意法半导体预计于今年下半年公布産品详细信息。