飞思卡尔半导体已和台积电(TSMC)签订合约，联合开发新一代的绝缘层上覆硅(SOI)高效能芯片前段技术，目标将锁定在开发65奈米互补金属氧化半导体(CMOS)的先进制程节点。这份为期三年的合约同时也赋予台积电(TSMC)制造权，可利用飞思卡尔的90奈米绝缘层上覆硅(SOI)技术制造产品。

飞思卡尔技术长Dr. Claudine Simson表示：「飞思卡尔提供客户高效能绝缘层上覆硅(SOI)产品，已经有四年的时间，台积电(TSMC)长久以来都是飞思卡尔重要的晶圆代工厂商，同时在我们与飞利浦和意法半导体(STMicroelectronics)，共同在法国Grenoble附近的Crolles所发展的联合开发技术计划上，台积电也与飞思卡尔有良好的合作关系。我们与台积电(TSMC)长期以来都合作愉快，也期待能和台积电(TSMC)联合开发出65奈米绝缘层上覆硅(SOI)高效能芯片技术。」

这次共同合作，是期望能加快65奈米绝缘层上覆硅(SOI)技术的上市时间，让这项技术可创新的应用在不同市场里。而除了联合开发65奈米绝缘层上覆硅(SOI)高效能晶体管前端技术以外，双方将依照各自市场不同的应用需求，独立开发65奈米金属化后段技术。飞思卡尔会选在与飞利浦及意法半导体 (STMicroelectronics)共同拥有，位于法国的Crolles2联合研发及试产中心，来把这项技术运用到以十二吋晶圆生产65奈米绝缘层上覆硅(SOI)芯片；台积电(TSMC)则会在台湾的厂房里使用这项技术，生产高速、高效能的网络与运算应用产品，同时计划开发出低耗电选择，以满足行动式应用对于低耗电量的需求。