Diodes公司推出双通道电感负载驱动器DMN61D8LVTQ，适用于汽车电感负载开关应用，包括窗户、门锁、天线继电器、螺线管及小型直流马达。片上整合式齐纳二极管和偏置电阻器可排除对多个外部部件的需求，有效节省成本及缩减印刷电路板占位面积。

全新DMN61D8LVTQ TSOT-26双通道电感负载驱动器适用于汽车电感负载开关应用，包括窗户、门锁、天线继电器、螺线管及小型直流马达。

电感负载开关一般需要续流二极体来抑制在开关启动时出现的电压尖峰，而DMN61D8LVTQ电感负载驱动器则利用低侧电路配置免除了对续流二极体的需求。这种配置使用反向齐纳二极体，提供内部MOSFET的有源过压汲极钳位。只要确保钳位电压设定在低于MOSFET的雪崩击穿电压，就可防止MOSFET受到破坏性瞬态电压的损害。

由标准逻辑元件、微控制器及现场可编程闸阵列直接驱动的输入有效简化系统设计。这些输入具有由位置较远的齐纳堆叠提供的防静电能力。 MOSFET以60V汲－源电压(VDS) 及最高达±12V的闸－源电压(VGS) 设定额定值。

全新DMN61D8LVTQ TSOT-26双通道电感负载驱动器以3,000个为出货批量。