先进半导体和储存解决方案供应Toshiba公司在第三代碳化矽（SiC）肖特基栅极二极体（SBD）产品线中增添1200 V新产品「TRSxxx120Hx系列」，适合应用於光伏逆变器、电动汽车充电站，以及用於工业设备用的开关电源供应器、不断电供应系统（UPS）等工业设备。

Toshiba的新款1200 V第三代碳化矽肖特基栅极二极体，将推动工业电源设备实现高效率（source：Toshiba）

最新TRSxxx120Hx系列为1200 V产品，采用Toshiba第3代650 V SiC SBD的改进型接面栅极肖特基（JBS）结构，此结构将混合式PiN肖特基（MPS）结构整合在JBS结构中，MPS可在大电流下降低正向电压， JBS不仅可降低肖特基介面的电场，还可以减少电流泄漏。由於在接面栅极中使用新型金属，有助於这些新产品实现前沿的1.27 V（典型值）低正向电压、低总电容电荷和低反向电流，可显着降低较大电源应用中的设备功耗。

Toshiba现已开始提供TRSxxx120Hx系列的十款新产品，包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。Toshiba将继续扩大SiC电源零组件的产品线，并持续专注於提高效率，降低工业电源设备功耗。