账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
美高森美推出用于航天、商业航空和国防应用的线性调节器
业界首款带有整合式单粒子效应筛检器的超低压降调节器,具备军事和航天等级

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2013年07月18日 星期四

浏览人次:【3235】

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供货商美高森美公司为其抗辐射(radiation-hardened)解决方案产品组合增添两款用于航天、商业航空和国防应用的全新超低压降(Ultra-low dropout, ULDO)线性负载点(POL)调节器。MHL8701和MHL8705调节器是其中的首批器件,具有一个整合式单粒子效应(SEE)筛检器,防止通常在航空和航天应用中由重离子所引起的软错误(soft error),新型调节器还可与公司的耐辐射(radiation-tolerant) 的SoC和FPGA解决方案一起搭配使用。

这些密封的调节器具有航天或军事等级,新器件已在生产中,并且也已在出货给一家世界领先的航天技术公司,将应用在一种新的太空总线(space bus)架构设计方案中。

美高森美公司高可靠性产品部门市场总监Durga Peddireddy表示:“美高森美再一次将其超过50年开发高可靠性元器件的专业技术,应用到“业界首款”用于航天和国防领域的产品。我们利用广泛的产业知识,结合不断的产品和技术投资,以满足客户需求,并且以更快的步伐提供高可靠性元器件和系统解决方案,从而在这些领域获得成功。”

美高森美在美国马萨诸塞州的生产据点最近因其依据MIL-STD-883规范所进行的总离子化剂量(TID)、增强低剂量辐射敏感性(ELDRS)和SEE辐射测试,而获得美国国防后勤局(Defense Logistics Agency, DLA)所颁发的Laboratory Suitability认可。

MHL8701和MHL8705在通过MIL-PRF-38534认证的设施中装配,并且通过美高森美的Hi-Rel Qualification Level (MHQLTM)计划的质量认证,可充分满足航天和军事应用的需求。按照1019方法,这些器件已经达到300 Krad TID的辐射性能,ELDRS 则达到100 Krad额定值,并根据ASTM 1192F进行单粒子事件测试。

产品信息

MHL8701和MHL8705器件经优化后可在+5V或+3.3V输入电压下运作,分别具有3A 和5A额定电流,并且在2A下具有400mV超低压降,并且有一个整合式SEE筛检器,可用来防止通常发生在地平面(ground-level)和空降应用中可能由于次原子辐射粒子所造成的软数据错误。

主要特性:

- SEE测试达到85 megaelectron-volts (MeV),无闩锁

- ELDRS测试达到100 Krad,供电性能 <+/- 5%

- 超低压降电压:400mV @ 2.0A

- 最大热阻:3.0 degrees C/ W

- DLA 标准微电路图形(SMD)对流程的认证

美高森美全新调节器非常适合与公司的航天额定耐辐射RTAX-S/SL/DSP、RTSX-SU和RT-ProASIC3 FPGA搭配使用,新型调节器通常可以提供FPGA所需的全部内核和I/O电压。而且这些FPGA器件是特别为航天应用而设计的,使用的是高度可靠的非挥发性反熔丝和闪存技术,它们通常具有高达400万等价系统闸和840个用户I/O密度,为设计人员提供了灵活的可编程平台。

美高森美为航天和国防产业提供高可靠性元器件的经验已超过了50年,其抗辐射和耐辐射产品组合包括:FPGA、SoC FPGA、ASIC、POL转换器、DC-DC转换器、电压调节器(线性和开关)、RF元器件、双极晶体管、MOSFET和氮化镓(GaN)产品。这些产品中的大多数皆已获得了DLA认证,符合MIL- PRF- 19500和MIL- PRF- 38534质量要求。

關鍵字: 线性调节器  美高森美 
相关产品
美高森美推出用於资料中心储存的24G SAS扩展器
安富利扩展与微芯科技的合作关系
美高森美推出低延迟、低功耗、高可靠Gen 4 PCIe交换机
美高森美储存配接器 加入整合式板载快取保护和maxCrypto
[COMPUTEX]美高森美将展示乙太网的解决方案和增强软体产品
  相关新闻
» 鸿海科亮相台湾太空国际年会 展现低轨卫星实力
» 荷兰政策专家:科技巨头正在改变世界的政策与民主
» 感测器+机器人+视讯 运用实时监控助农民精准播种
» 工研院携手产业 推动电动物流车应用
» 丽台携手双和医院於2024医疗科技展揭3大展出亮点
  相关文章
» ChipLink工具指南:PCIe® 交换机除错的好帮手
» 创新光科技提升汽车外饰灯照明度
» 以模拟工具提高氢生产燃料电池使用率
» 掌握石墨回收与替代 化解电池断链危机
» SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8C2465WSUSTACUK6
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw