瑞萨科技发表12款适用于隔离式DC-DC整流器之第十代功率MOSFET，可用于服务器、通讯设备、工业设备等电源供应器。新推出的功率MOSFET可降低开关损耗，提升能源效率并涵盖多种电压范围（40 V、60 V、80 V、100 V）。已于2009年12月3日开始量产。

12款功率MOSFET

瑞萨表示，为了降低隔离式DC-DC整流器的耗电量，必须使功率MOSFET具有较低的汲闸负载电容（Qgd），汲闸负载电容是达到较低开关耗损的关键因素。此次新推出的12款功率MOSFET采用该公司的0.18 μm 第十代制程，并已针对此应用优化。例如，可承受100V电压的RJK1056DPB，汲闸负载电容（Qgd）为 7.5nC，约为瑞萨科技早期产品HAT2173H（14.5 nC）的二分之一。

此外，新款MOSFET采用瑞萨科技经过实证的LEPAK（瑞萨科技封装代码）高效能封装， 可同时提供较低的封装阻抗及优异的散热特性，避免组件过热。相较于传统的SOP-8或类似封装，此种封装本身有助于产品的低损耗特性。内部的连接与框架直接相连，可降低封装电感并确保适用于高频率运作。