账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
Linear发表可充任何容量电容的充电控制器
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2006年02月22日 星期三

浏览人次:【778】

Linear Technology Corporation日前发表一款专门设计以快速充电大电容至高达1,000V的返驰控制器LT3750。LT3750可驱动一个外部高电流N信道MOSFET,并能在少于300ms的时间内对一个100uF电容充电至300V,使其成为专业照相闪光灯系统、RF保全、库存控制系统及特定高压电源应用之理想选择。其输入电压范围为3V至24V,因而能与多样电源配合工作,专利的边界模式控制架构,更减少了转换漏失并缩小了变压器的尺寸。LT3750封装于一个布线面积极小的MSOP-10中,提供了非常精简的高电压/电流电容充电方案。

/news/2006/02/22/1730316248.jpg

LT3750的初级侧感测结构,免除了对外部输出电压分压器的需求。其使用一个单一高电流N信道MOSFET,并提供高于90%的充电效率。一个低如78mV的电流感测精准地限制了峰值切换电流,并优化效率,输出电压则能轻易地运用变压器转换比例以及两个外部电阻调整。其他功能尚包括一个充电针脚,让用户能完全掌控LT3750,以及一个当电容达到设定值时会停止充电并由DONE针脚表示完成。

關鍵字: 凌力尔特  电容器 
相关产品
ADI推出2MHz升压/ SEPIC/ 负压输出转换器 内建4A、60V电源开关
凌力尔特推出新款双通道轨对轨100V电源监视器
凌力尔特推出新款双通道 4A、42V 输入同步降压切换式稳压器
凌力尔特Silent Switcher、42VIN、2.5A μModule稳压器
凌力尔特双输入优先顺序排序器提供低静态电流
  相关新闻
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» SEMI提4大方针增台湾再生能源竞争力 加强半导体永续硬实力
» 国科会促产创共造算力 主权AI产业专区落地沙仑
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BGA0OCMWSTACUK5
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw