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力晶半导体0.18微米制程256Mb SDRAM试产成功
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2001年03月02日 星期五

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力晶半导体公司昨日表示,该公司已试产成功0.18微米制程的256Mb SDRAM,且同步推出256Mb DDR内存产品,正进行验证,预计第二季开始正式投产,初估至年底月出货量将可接近百万颗。

力晶公司总经理蔡国智表示,三菱所设计的256Mb DDR产品日前已获得 Serverw orks公司的认证,该公司是英特尔服务器模块的主要供货商。目前仅有三菱及另一韩国厂商两家公司通过该公司的验证。

蔡国智指出,力晶在去年十二月开始投产256Mb SDRAM产品,今年二月底试产结果出炉,良率相当令人满意,三月中将陆续推出256Mb的SDRAM与DDR样品,第二季可开始进入量产,初步计划到第四季每月出货量可以接近100万颗。

關鍵字: SDRAM  力晶半导体  三菱  Serverworks  英特尔  静态随机存取内存 
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